ساخت پوست الکترونیکی با ساختار مشبک برای استفاده طولانی مدت
لی سونگ وون از دپارتمان فیزیک و شیمی در موسسه علوم و فناوری Daegu Gyeongbuk (DGIST)، موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثر میدان آلی نانومش (OFET) فوق نازک و قابل تنفس در جهان شد که میتواند در دستگاههای الکترونیکی استفاده شود. انتظار میرود نانومش OFET در ترکیب با حسگرهای مختلف، اندازهگیری مستقیم دادههای فیزیولوژیکی از سطح پوست را امکانپذیر کند و پردازش دادهها را بهینه کند.