تقویت اثر کشش کولونی در مدارهای نانوالکترونیک
اثر کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect)، در نقطههای کوانتومی یکی از مسائل مورد توجه محققان فیزیک ماده چگال نظری و تجربی در چند سال اخیر بوده است. یکی از پژوهشگران کشورمان در تحقیقی توانسته است روشی را برای تقویت و کنترل دقیق این اثر در مدارهای نانوالکترونیک ارائه دهد.